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TRUEC2全闭环电流专利技术LED恒流控制技术

发布时间:2020-06-30 23:03:19 阅读: 来源:滚丝机厂家

1、引言

本文引用地址:针对LED照明负载特点,目前非隔离式的恒流驱动电源的拓扑结构基本上是BUCK降压结构,主流的方案是通过固定关断时间来固定峰值电流,从而达到固定输出电流的控制策略。本文将讨论这种控制策略实现恒流的原理,分析这种开环控制策略的优缺点,和应用这种控制策略需要做的外围补偿,同时基于占空比半导体公司新产品DU8608芯片,介绍这种全新的闭环电流控制策略,详细介绍这种控制策略如何突破性提高LED输出电流精度,从开环到闭环是其本质的突破。

2、原理与设计

2.1 目前LED非隔离恒流驱动电流领域主流的控制策略

如图1所示,电路是BUCK降压结构,芯片控制的是MOSFET的源极,这是一种开环的恒流电流控制方式,控制原理如下:

当MOSFET开通时,电流从DCBUS通过LED负载,流过电感,流入地。

Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

当MOSFET关断时,电感电流从D1续流。得出以下公式:

Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

如图2 ,Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

由(2)和(3)

Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

Vref和Rcs都是设定的定值,由于电流流过LED负载,如果电流固定,可以认为LED的电压Vo是固定的,所以从式(4)看出,只要电感值L固定,再固定关断时间(1-D)T, Io即固定。

图1、非隔离降压恒流LED驱动电源示意图

图2、开环控制策略中的电感电流波形所以,这种开环的控制策略是,连接在Rt的电阻设定MOSFET的关断时间。每个周期开始,MOSFET 打开直到电感电流上升到峰值Vref/Rs,这时MOSFET 关断,关断时间由Rt决定。过了设定的关断时间,MOSFET 又重新打开,这样周而复始地工作。关断时间控制了纹波电流LED 平均电流,根据想要输出的电流值,调节CS管脚的Rs值,调节Rt值,固定每个开关周期的关断时间为一个值,从而实现了输出电流恒流。

这是一种简单有效的控制策略,但是由于这是一种开环控制模式,只能检测电感上的峰值电流,无法检测输出电流,输出电流精度在三种情况下容易出现偏差:

1. 输入电压波动。(开环控制,无法反馈,系统延时造成)

2. 批量生产电感感值偏差。(式4中,L变化引起Io变化)

3. LED负载电压不相同(Vo)

对于第1种偏差,只能采取电压补偿的办法,即检测输入电压,根据输入电压调整内部CS参考电平值,但是效果一般,对于第2种和第3种偏差,比较难解决。

一种全新的全闭环控制策略可以完全避免上述几种偏差,从根本上实现真正的LED恒流。

2.2 DU8608 如何实现真正全闭环的恒流控制

图3、全闭环非隔离降压恒流LED驱动电源示意图所谓的闭环,即真正检测输出电流值,以此为标准来发出PWM信号。所谓开环,不以检测到的输出电流值来做发出PWM信号的参考。从电路拓扑上,二者没有区别。但是在芯片内部对检测到的如图3 CS脚电感电流信号,做专利技术处理,如图4 TRUEC2部分。这样,就检测到了电感电流的平均值,也就是输出电流的平均值。芯片针对检测到的值,控制输出占空比,实现了闭环控制。这种控制结构,同时使得线路极为简单,图3和图1相比,省去了开环控制所需的输入电压补偿线路,省却了控制固定关断时间所需的Rt电阻。值得一提的是,由于闭环控制电流,相比于开环方式,此线路具有电感短路保护功能,同时具备Rcs采样电阻的开路、短路保护功能。这在生产应用中是非常重要的,这相当于大大降低了系统发生故障的风险。使得这种方案不仅在性能上有了质的飞跃,在可靠性上也大大提高。

图4、DU8608内部功能图

图5、TRUEC2部分工作示意

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